一、测试过程
1、样品准备与放置
2、显微镜定位
3、连接测试设备（KEITHLEY 2636型 数字源表为例）
| 器件端 | 连接至2636B | 说明 |
| 栅极（Gate） | CH A HI | 提供Vgs并测量Ig |
| 漏极（Drain） | CH B HI | 提供Vds并测量Id |
| 源极（Source） | CH A 和 CH B 的LO端共地 | 确保参考电位一致 |
4、探针装载与接触
探针装载：将探针装载到探针座上，确保探针座位置合适。
探针移动：通过探针座上的X-Y-Z三向微调旋钮，将探针缓慢移动至接近待测点。
探针接触：当探针针尖悬空于被测点上空时，先用Y轴旋钮将探针退后少许，再使用Z轴旋钮下针，最后用X轴 旋钮左右滑动探针，观察是否有少许划痕，确认探针与被测点良好接触。
通过测试设备（如半导体参数测试仪、数字源表、示波器等）施加预定的电压或电流，探针台采集器件的响应信号，实时记录电流-电压（I-V）特性曲线或其他电学特性数据。
6、记录数据与处理
测试完成后，记录并保存测试数据，以便后续分析和处理。小心地将探针从被测点上移开，避免损坏样品或探针。
二、测试应用
(1) MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
1.1、结构：栅极(Gate)、源极(Source)、漏极(Drain)，部分器件需测试衬底(Body)
CMOS 集成电路（逻辑、存储器）
功率MOSFET（开关电源、电机驱动）
RF MOSFET（射频放大器）
（2）BJT（双极结型晶体管）
1.1、结构：基极(Base)、发射极(Emitter)、集电极(Collector)
输入特性（Ib-Vbe）
输出特性（Ic-Vce）
电流增益（hFE= Ic/Ib）
击穿电压（BVceo、BVcbo）
（3）IGBT（绝缘栅双极晶体管）
1.1、结构：栅极(Gate)、集电极(Collector)、发射极(Emitter)
转移特性（Ic-Vge）
输出特性（Ic-Vce）
开关特性（导通/关断时间）
（4）HEMT（高电子迁移率晶体管）
1.1、结构：栅极(Gate)、源极(Source)、漏极(Drain)
高频跨导（gm）
截止频率（fT）
最大振荡频率（fmax）
5G/6G 射频器件
毫米波通信
低噪声放大器（LNA）
（5）JFET（结型场效应晶体管）
1.1、结构：栅极(Gate)、源极(Source)、漏极(Drain)